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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名:TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号:
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名:TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 250W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK10J80E,S1E
仓库库存编号:
TK10J80ES1E-ND
别名:TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK14A55D(STA4QM)-ND
别名:TK14A55D(STA4QM)
TK14A55DSTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN100N20FU6
仓库库存编号:
RDN100N20FU6-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60D(STA4QM)-ND
别名:TK15A60D(STA4QM)
TK15A60DSTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK18A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK18A50D(STA4QM)-ND
别名:TK18A50D(STA4QM)
TK18A50DSTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Ta) 2.1W(Ta),200W(Tc) TO-220-3
型号:
NDPL180N10BG
仓库库存编号:
NDPL180N10BGOS-ND
别名:NDPL180N10BGOS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK19A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK19A45D(STA4QM)-ND
别名:TK19A45D(STA4QM)
TK19A45DSTA4QM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA230N075T2
仓库库存编号:
IXFA230N075T2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXFA230N075T2-7
仓库库存编号:
IXFA230N075T2-7-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 500V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC1550TG-G
仓库库存编号:
TC1550TG-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 230A
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP230N075T2
仓库库存编号:
IXFP230N075T2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Sanken
MOSFET 6N-CH 250V 7A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
型号:
SMA5112
仓库库存编号:
SMA5112-ND
别名:SMA5112 DK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
不受无铅要求限制
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Sanken
MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 200V 10A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5041
仓库库存编号:
SLA5041-ND
别名:SLA5041 DK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 56A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M45BVRG
仓库库存编号:
APT20M45BVRG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M85BVRG
仓库库存编号:
APT30M85BVRG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 56A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M45BVFRG
仓库库存编号:
APT20M45BVFRG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVRG
仓库库存编号:
APT20M38BVRG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 170A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX170P10P
仓库库存编号:
IXTX170P10P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 600V 32A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK32P60P
仓库库存编号:
IXTK32P60P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVFRG
仓库库存编号:
APT30M70BVFRG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 500V 22A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR40P50P
仓库库存编号:
IXTR40P50P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
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