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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31
仓库库存编号:
BUZ31IN-ND
别名:BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
BUZ31XK
SP000011341
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) TO-263
型号:
BUZ31 E3045A
仓库库存编号:
BUZ31 E3045A-ND
别名:BUZ31E3045AT
SP000011343
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31 E3046
仓库库存编号:
BUZ31 E3046-ND
别名:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32
仓库库存编号:
BUZ32IN-ND
别名:BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名:BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73E3046XK
仓库库存编号:
BUZ73E3046XK-ND
别名:BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A
仓库库存编号:
BUZ73AIN-ND
别名:BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号:
BUZ73AE3046XK-ND
别名:BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
SP000011962
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-3
型号:
SPB18P06P
仓库库存编号:
SPB18P06P-ND
别名:SP000012329
SPB18P06PT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.6A(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU18P06P
仓库库存编号:
SPU18P06PIN-ND
别名:SP000012303
SPU18P06P-ND
SPU18P06PIN
SPU18P06PX
SPU18P06PXK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名:BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20
仓库库存编号:
SPD07N20INCT-ND
别名:SPD07N20INCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.6A(Tc) 80W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD18P06P
仓库库存编号:
SPD18P06PINCT-ND
别名:SPD18P06PINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB119NQ06T,118
仓库库存编号:
PHB119NQ06T,118-ND
别名:934058551118
PHB119NQ06T /T3
PHB119NQ06T /T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 45A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK7226-75A/C1,118
仓库库存编号:
BUK7226-75A/C1,118-ND
别名:934061629118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6630-5-ND
别名:568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP165NQ08T,127
仓库库存编号:
PHP165NQ08T,127-ND
别名:934062188127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 55A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
BUK7213-40A,118
仓库库存编号:
BUK7213-40A,118-ND
别名:934058199118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55,127
仓库库存编号:
BUK7524-55,127-ND
别名:934045180127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 79W(Tc) DPAK
型号:
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号:
PHD18NQ10T,118-ND
别名:934055700118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45NQ10TA,127
仓库库存编号:
PHP45NQ10TA,127-ND
别名:934059957127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
无铅
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MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7628-100A/C,118
仓库库存编号:
BUK7628-100A/C,118-ND
别名:934060683118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA,
含铅
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