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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9.3A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK9P65W,RQ
仓库库存编号:
TK9P65WRQCT-ND
别名:TK9P65WRQCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R280CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R280CEXKSA2-ND
别名:SP001217218
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 92W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R280CEXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R280CEXKSA1-ND
别名:IPP50R280CE
IPP50R280CEIN
IPP50R280CEIN-ND
SP000850810
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 92W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R280CE
仓库库存编号:
IPW50R280CEIN-ND
别名:IPW50R280CEFKSA1
IPW50R280CEIN
SP000850804
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A65W,S5X
仓库库存编号:
TK9A65WS5X-ND
别名:TK9A65W,S5X(M
TK9A65WS5X
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.1A(Tc) 119W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R280CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEAUMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 92W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEIN-ND
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 30.4W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R280CE
仓库库存编号:
IPA50R280CEIN-ND
别名:IPA50R280CEIN
IPA50R280CEXKSA1
SP000848218
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 119W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350μA,
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