以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK17A80W,S4X
  仓库库存编号：TK17A80WS4X-ND
  别名：TK17A80W,S4X(S
  TK17A80WS4X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta） 180W（Tc） TO-220
  
  型号：TK17E80W,S1X
  仓库库存编号：TK17E80WS1X-ND
  别名：TK17E80W,S1X(S
  TK17E80WS1X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 169W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R070C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R070C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R070C7AUMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080114
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080100
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080116
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080120
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 850μA,
• 无铅
• 搜索