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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP320SH6327XTSA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 38W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ900N15NS3 GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号:
IPG20N06S415AATMA1
仓库库存编号:
IPG20N06S415AATMA1CT-ND
别名:IPG20N06S415AATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BSP320SH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP320SH6433XTMA1-ND
别名:SP001058772
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO612CVGHUMA1
仓库库存编号:
BSO612CVGHUMA1TR-ND
别名:BSO612CV G
BSO612CV G-ND
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGT
BSO612CVGXT
BSO612CVT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVXTINTR-ND
SP000216307
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 50W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N06S415ATMA2
仓库库存编号:
IPG20N06S415ATMA2-ND
别名:SP001028634
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO612CV
仓库库存编号:
BSO612CVINCT-ND
别名:BSO612CVINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6327
仓库库存编号:
BSP320S E6327-ND
别名:BSP320SE6327T
SP000011115
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320S E6433
仓库库存编号:
BSP320S E6433-ND
别名:BSP320SE6433T
SP000011116
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB25N06S3-25
仓库库存编号:
IPB25N06S3-25-ND
别名:IPB25N06S325XT
SP000088000
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI25N06S3-25
仓库库存编号:
IPI25N06S3-25IN-ND
别名:IPI25N06S3-25-ND
IPI25N06S3-25IN
IPI25N06S325X
IPI25N06S325XK
SP000087997
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 25A(Tc) 48W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP25N06S325XK
仓库库存编号:
IPP25N06S325XK-ND
别名:IPP25N06S3-25
IPP25N06S3-25-ND
IPP25N06S3-25IN
IPP25N06S3-25IN-ND
IPP25N06S325X
SP000088001
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP50CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP50CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP50CN10N G
IPP50CN10N G-ND
IPP50CN10NGHKSA1
IPP50CN10NGIN
IPP50CN10NGIN-ND
IPP50CN10NGX
IPP50CN10NGXK
SP000096474
SP000680930
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名:IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD49CN10N G
仓库库存编号:
IPD49CN10N G-ND
别名:SP000096459
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD64CN10N G
仓库库存编号:
IPD64CN10N G-ND
别名:SP000104810
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPI50CN10NGHKSA1-ND
别名:IPI50CN10N G
IPI50CN10N G-ND
SP000208937
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 44W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU64CN10N G
仓库库存编号:
IPU64CN10N G-ND
别名:SP000209097
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20μA,
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MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SL6433HTMA1
仓库库存编号:
BSP320SL6433HTMA1CT-ND
别名:BSP320S L6433CT
BSP320S L6433CT-ND
BSP320SL6433
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MOSFET 2N-CH 8TDSON
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IPG20N06S415ATMA1
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别名:SP000705490
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