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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N06S215ATMA2
  仓库库存编号：IPD30N06S215ATMA2CT-ND
  别名：IPD30N06S215ATMA2CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001606032
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R600P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R600P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R600P7SATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  CONSUMER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P7SAUMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001658294
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R600P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R600P7SXKSA1-ND
  别名：SP001618082
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001618084
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N08S222ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N08S222ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N08S2-22
  IPD30N08S2-22-ND
  SP000252169
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N06S214ATMA2
  仓库库存编号：IPD50N06S214ATMA2-ND
  别名：SP001063624
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-23
  
  型号：IPC100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S402ATMA1-ND
  别名：SP001007758
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N06S2-15
  仓库库存编号：IPD30N06S2-15CT-ND
  别名：IPD30N06S2-15CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8HSOF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 250A（Tc） 188W（Tc） PG-HSOF-8-1
  
  型号：IPLU250N04S41R7XTMA1
  仓库库存编号：IPLU250N04S41R7XTMA1-ND
  别名：SP001121552
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3-07
  仓库库存编号：IPB80N06S3-07-ND
  别名：IPB80N06S307XT
  SP000088065
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S3-07
  仓库库存编号：IPI80N06S3-07IN-ND
  别名：IPI80N06S3-07-ND
  IPI80N06S3-07IN
  IPI80N06S307X
  IPI80N06S307XK
  SP000088064
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S3-07
  仓库库存编号：IPP80N06S3-07-ND
  别名：IPP80N06S307X
  IPP80N06S307XK
  SP000088067
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-15
  仓库库存编号：SPD30N06S2-15-ND
  别名：SP000012477
  SPD30N06S215T
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N08S2-22
  仓库库存编号：SPD30N08S2-22-ND
  别名：SP000013153
  SPD30N08S222T
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD144N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD144N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD144N06NG
  IPD144N06NGINCT
  IPD144N06NGINCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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  MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S214ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S214ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S2-14
  IPD50N06S2-14-ND
  SP000252171
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 80μA,
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