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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16A(Ta),59A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16410Q5A
仓库库存编号:
296-24254-1-ND
别名:296-24254-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS436DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS436DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS436DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 31.3A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 31.3A(Tc) 6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4010DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4010DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4010DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 44A(Tc) 56W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6268
仓库库存编号:
800-3748-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR642DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR642DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR642DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 400mA(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMP32D4SFB-7B
仓库库存编号:
DMP32D4SFB-7BDICT-ND
别名:DMP32D4SFB-7BDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SO
型号:
DMS3016SSS-13
仓库库存编号:
DMS3016SSS-13DICT-ND
别名:DMS3016SSS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SO
型号:
DMG4812SSS-13
仓库库存编号:
DMG4812SSS-13DICT-ND
别名:DMG4812SSS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4710SSS-13
仓库库存编号:
DMG4710SSS-13DICT-ND
别名:DMG4710SSS-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.2A, 6.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号:
DMC3016LSD-13
仓库库存编号:
DMC3016LSD-13DICT-ND
别名:DMC3016LSD-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2409
仓库库存编号:
785-1395-1-ND
别名:785-1395-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5424DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5424DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5424DC-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),52A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16412Q5A
仓库库存编号:
296-24256-1-ND
别名:296-24256-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5820NLTWG
仓库库存编号:
NVTFS5820NLTWGOSCT-ND
别名:NVTFS5820NLTWGOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ500AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ500AEP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR638DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR638DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR638DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR438DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR438DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR438DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL7833STRLPBF
仓库库存编号:
IRL7833STRLPBFCT-ND
别名:IRL7833STRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833
仓库库存编号:
IRLR7833-ND
别名:*IRLR7833
SP001568746
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Ta),100A(Tc) 115W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18504KCS
仓库库存编号:
296-35578-5-ND
别名:296-35578-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta),100A(Tc) 192W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18533KCS
仓库库存编号:
296-35013-ND
别名:296-35013
CSD18533KCS-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Ta),100A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18534KCS
仓库库存编号:
296-35012-ND
别名:296-35012
CSD18534KCS-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
库存产品核实请求
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18503KCS
仓库库存编号:
296-34974-5-ND
别名:296-34974-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 10-Picostar (3.37x1.47)
型号:
CSD87501LT
仓库库存编号:
296-38677-1-ND
别名:296-38677-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 161A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU7843PBF
仓库库存编号:
IRLU7843PBF-ND
别名:*IRLU7843PBF
SP001578952
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
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