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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL7833PBF
仓库库存编号:
IRL7833PBF-ND
别名:*IRL7833PBF
SP001550382
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 156W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD18510Q5BT
仓库库存编号:
296-46567-1-ND
别名:296-46567-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 274A(Tc) 250W(Ta) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD18510KTTT
仓库库存编号:
296-45229-1-ND
别名:296-45229-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 4.2W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4314
仓库库存编号:
785-1548-1-ND
别名:785-1548-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 14.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta),54A(Tc) 2.5W(Ta),53.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD242
仓库库存编号:
785-1475-1-ND
别名:785-1475-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),150W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18501Q5A
仓库库存编号:
296-30570-1-ND
别名:296-30570-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),156W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18531Q5AT
仓库库存编号:
296-41958-1-ND
别名:296-41958-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
型号:
DMG6602SVT-7
仓库库存编号:
DMG6602SVT-7DICT-ND
别名:DMG6602SVT-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),77W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18534Q5A
仓库库存编号:
296-35583-1-ND
别名:296-35583-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS476DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS476DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS476DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 46A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7463ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7463ADP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 17A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta),116W(Tc) 8-SON(5x6)
型号:
CSD18533Q5A
仓库库存编号:
296-35027-1-ND
别名:296-35027-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18540Q5BT
仓库库存编号:
296-37963-1-ND
别名:296-37963-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02T1G
仓库库存编号:
NTR1P02T1GOSCT-ND
别名:NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 3.1W Surface Mount 8-DFN (3x3)
型号:
AON7810
仓库库存编号:
785-1775-1-ND
别名:785-1775-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5844NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5844NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5844NLT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.6A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3008SFG-7
仓库库存编号:
DMN3008SFG-7DICT-ND
别名:DMN3008SFG-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11.2A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5844NLT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 36.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA54DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA54DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA54DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 158W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIJH440E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJH440E-T1-GE3CT-ND
别名:SIJH440E-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
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Texas Instruments
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 22VSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 40V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
型号:
CSD88584Q5DCT
仓库库存编号:
296-46923-1-ND
别名:296-46923-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 410mA(Ta) 470mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN62D1SFB-7B
仓库库存编号:
DMN62D1SFB-7BDI-ND
别名:DMN62D1SFB-7BDI
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23
型号:
NVTR0202PLT1G
仓库库存编号:
NVTR0202PLT1G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4566
仓库库存编号:
AO4566-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),12A(Tc) 3.1W(Ta),20.5W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7506
仓库库存编号:
AON7506-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA,
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