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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 2.3W(Ta),36W(Tc) Power33
型号:
FDMC86248
仓库库存编号:
FDMC86248CT-ND
别名:FDMC86248CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250mA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
STB7ANM60N
仓库库存编号:
497-13935-1-ND
别名:497-13935-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250mA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 85V 130A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF230N085T
仓库库存编号:
IXTF230N085T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250mA,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6796
仓库库存编号:
2N6796-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250mA,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6796U
仓库库存编号:
2N6796U-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250mA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZGPBF-ND
别名:SP001564604
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250mA,
无铅
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