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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N03S2L20ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S2L20ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 23μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），73A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC059N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC059N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC059N04LS GCT
  BSC059N04LS GCT-ND
  BSC059N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 23μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 62W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC90N04S5L3R3ATMA1
  仓库库存编号：IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
  别名：SP001418122
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 23μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-20
  仓库库存编号：SPD30N03S2L20INTR-ND
  别名：SP000013488
  SPD30N03S2L20INTR
  SPD30N03S2L20XT
  SPD30N03S2L20XT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 23μA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L20GBTMA1
  仓库库存编号：SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
  别名：SPD30N03S2L-20 GCT
  SPD30N03S2L-20 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 23μA,
• 无铅
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