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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 73A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD70P04P409ATMA1
  仓库库存编号：IPD70P04P409ATMA1CT-ND
  别名：IPD70P04P409ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S3-03
  仓库库存编号：IPB80N04S303ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S3-03CT
  IPB80N04S3-03CT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB70P04P409ATMA1
  仓库库存编号：IPB70P04P409ATMA1-ND
  别名：SP000735964
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 72A（Tc） 75W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI70P04P409AKSA1
  仓库库存编号：IPI70P04P409AKSA1-ND
  别名：SP000735974
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S403ATMA2
  仓库库存编号：IPB120N06S403ATMA2-ND
  别名：SP001028770
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S303AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S303AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S3-03
  IPI80N04S3-03-ND
  SP000261238
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S303AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N04S303AKSA1-ND
  别名：IPP80N04S3-03
  IPP80N04S3-03-ND
  IPP80N04S303
  SP000261229
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N08S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N08S404ATMA1-ND
  别名：SP000989094
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N08S404AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N08S404AKSA1-ND
  别名：SP000989096
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 179W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N08S404AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N08S404AKSA1-ND
  别名：SP000989098
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-03
  IPB120N06S4-03-ND
  SP000415558
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N06S403AKSA1-ND
  别名：IPI120N06S4-03
  IPI120N06S4-03-ND
  SP000396308
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA1-ND
  别名：IPP120N06S4-03
  IPP120N06S4-03-ND
  SP000396380
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA2-ND
  别名：SP001028768
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 120μA,
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