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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LB G
  仓库库存编号：IPD04N03LBGINCT-ND
  别名：IPD04N03LBG
  IPD04N03LBGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LA G
  仓库库存编号：IPD03N03LAGINCT-ND
  别名：IPD03N03LAG
  IPD03N03LAGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03SG
  仓库库存编号：BSC032N03SGINCT-ND
  别名：BSC032N03SGINCT
  BSC032N03SGXTINCT
  BSC032N03SGXTINCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03S
  仓库库存编号：BSC032N03S-ND
  别名：BSC032N03ST
  SP000014714
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB
  仓库库存编号：IPB04N03LB-ND
  别名：IPB04N03LBT
  SP000064219
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB G
  仓库库存编号：IPB04N03LB G-ND
  别名：IPB04N03LBGXT
  SP000103301
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP04N03LB G
  仓库库存编号：IPP04N03LB G-ND
  别名：IPP04N03LBGX
  SP000064223
  SP000680800
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS03N03LA G
  仓库库存编号：IPS03N03LA G-ND
  别名：IPS03N03LAGX
  SP000016404
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS03N03LB G
  仓库库存编号：IPS03N03LB G-ND
  别名：IPS03N03LBGX
  SP000220141
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS04N03LB G
  仓库库存编号：IPS04N03LB G-ND
  别名：IPS04N03LBGX
  SP000219859
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LB G
  仓库库存编号：IPU04N03LB G-ND
  别名：IPU04N03LBGX
  SP000220463
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO052N03S
  仓库库存编号：BSO052N03SINCT-ND
  别名：BSO052N03SINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LB G
  仓库库存编号：IPD03N03LBGINCT-ND
  别名：IPD03N03LBG
  IPD03N03LBGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 70μA,
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