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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001276046
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK5Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK5Q65WS1Q-ND
  别名：TK5Q65W,S1Q(S
  TK5Q65WS1Q
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R750E6
  仓库库存编号：IPA60R750E6-ND
  别名：IPA60R750E6XKSA1
  SP000842480
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65W,S5X
  仓库库存编号：TK5A65WS5X-ND
  别名：TK5A65W,S5X(M
  TK5A65WS5X
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001508822
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R600P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R600P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R600P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R600P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R600P7AKMA1-ND
  别名：SP001644622
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R600P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R600P7AKMA1-ND
  别名：SP001644630
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001644604
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R600P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R600P7XKSA1-ND
  别名：SP001644610
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6ATMA1-ND
  别名：SP001117728
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R750E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R750E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R750E6
  IPP60R750E6-ND
  SP000842482
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R750E6BTMA1CT
  IPD60R750E6CT
  IPD60R750E6CT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 170μA,
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