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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU02N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU02N60C3BKMA1-ND
别名:Q67040S4659
SP000015064
SPU02N60C3
SPU02N60C3-ND
SPU02N60C3X
SPU02N60C3XK
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP02N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP02N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名:SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N50C3
仓库库存编号:
SPD02N50C3INTR-ND
别名:SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3
仓库库存编号:
SPN02N60C3-ND
别名:SP000101878
SPN02N60C3XT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号:
SPN02N60C3 E6433-ND
别名:SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 1.8A(Tc) 25W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS02N60C3
仓库库存编号:
SPS02N60C3-ND
别名:SP000235878
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 80μA,
无铅
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