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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K0C3
仓库库存编号:
IPA90R1K0C3-ND
别名:IPA90R1K0C3XKSA1
SP000413712
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R350CPXKSA1-ND
别名:IPA50R350CP
IPA50R350CP-ND
SP000236078
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名:IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名:SP000236069
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号:
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名:IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名:IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R350CP
仓库库存编号:
IPI50R350CP-ND
别名:SP000236084
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
SP000683078
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 370μA,
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