以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK10A60W5S5VX-ND
  别名：TK10A60W5,S5VX(M
  TK10A60W5S5VX
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-252AA
  
  型号：IXFY30N25X3
  仓库库存编号：IXFY30N25X3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N25X3
  仓库库存编号：IXFP30N25X3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP30N25X3M
  仓库库存编号：IXFP30N25X3M-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  250V/30A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 176W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA30N25X3
  仓库库存编号：IXFA30N25X3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK21N100
  仓库库存编号：IXTK21N100-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN21N100
  仓库库存编号：IXTN21N100-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 500μA,
• 无铅
• 搜索