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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7322DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7322DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-GE3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD35N10-26P-E3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-E3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 10A（Tc） 107W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD10N30-330H_GE3
  仓库库存编号：SQD10N30-330H_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7322DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-T4GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-T4GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE876DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE876DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE876DF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE854DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE854DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE854DF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE816DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE816DF-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE816DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE816DF-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE854DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE854DF-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 250μA,
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