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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.7W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD15N15-95-E3
仓库库存编号:
SUD15N15-95-E3CT-ND
别名:SUD15N15-95-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3430DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3430DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3430DV-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3430DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3430DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3430DV-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4488DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4488DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4488DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4848DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4848DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4848DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN10A08DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN10A08DN8TACT-ND
别名:ZXMN10A08DN8TACT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4488DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4488DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4488DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRL
仓库库存编号:
IRLR8103TRL-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRR
仓库库存编号:
IRLR8103TRR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.85W(Ta) 8-SO
型号:
SI4470EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4470EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4470EY-T1-E3CT
SI4470EYT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4480DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4480DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-E3CT
SI4484EYT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.4A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4486EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4486EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4486EY-T1-E3CT
SI4486EYT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.85W(Ta) 8-SO
型号:
SI4470EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4470EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4470EY-T1-GE3CT
SI4470EYT1GE3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-GE3CT
SI4484EYT1GE3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.4A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4486EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4486EY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220-3
型号:
SUP18N15-95-E3
仓库库存编号:
SUP18N15-95-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) 89W(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103
仓库库存编号:
IRLR8103-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA(最小),
含铅
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