以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1431DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1431DH-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1431DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1431DH-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7303QTR
  仓库库存编号：AUIRF7303QTR-ND
  别名：SP001521078
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.9A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1433DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1433DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1433DH-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.9A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1433DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1433DH-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 56A（Ta） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9204PBF
  仓库库存编号：IRF9204PBF-ND
  别名：SP001555810
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7303Q
  仓库库存编号：AUIRF7303Q-ND
  别名：SP001517242
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 100μA,
• 无铅
• 搜索