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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N04S3-08
  仓库库存编号：IPD50N04S308ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N04S3-08CT
  IPD50N04S3-08CT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S407ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S407ATMA2-ND
  别名：SP001028680
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S407AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S407AKSA2-ND
  别名：SP001028666
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S407ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S407ATMA2-ND
  别名：SP001028672
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N04S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S404ATMA1-ND
  别名：SP000952816
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N06S407AKSA2
  仓库库存编号：IPI80N06S407AKSA2-ND
  别名：SP001028676
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S407ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S407ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4-07
  IPB80N06S4-07-ND
  SP000415568
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S407ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S407ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-07
  IPD90N06S4-07-ND
  SP000415586
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S407AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S407AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4-07
  IPI80N06S4-07-ND
  SP000415690
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S407AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S407AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4-07
  IPP80N06S4-07-ND
  SP000415706
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 40μA,
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