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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP260N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP260N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP260N06N3 G
  IPP260N06N3 G-ND
  SP000453638
  SP000680918
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 11μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB260N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB260N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB260N06N3 GCT
  IPB260N06N3 GCT-ND
  IPB260N06N3G
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 11μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 28A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD250N06N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD250N06N3 GCT
  IPD250N06N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 11μA,
• 无铅
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