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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4.9A(Tc) 69W(Tc) TO-247-3
型号:
C2M1000170D
仓库库存编号:
C2M1000170D-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH9310TRPBF
仓库库存编号:
IRFH9310TRPBFCT-ND
别名:IRFH9310TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6K514NU,LF
仓库库存编号:
SSM6K514NULFCT-ND
别名:SSM6K514NULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 143W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL40B215
仓库库存编号:
IRL40B215-ND
别名:SP001558684
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9310TRPBF
仓库库存编号:
IRF9310TRPBFCT-ND
别名:IRF9310TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
详细描述:通孔 N 沟道 50W(Tj) 4-电源接片
型号:
HTNFET-T
仓库库存编号:
342-1091-ND
别名:342-1091
HTNFET-T-ND
HTNFETT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
含铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj) 8-CDIP-EP
型号:
HTNFET-D
仓库库存编号:
342-1078-ND
别名:342-1078
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
含铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-DC
仓库库存编号:
HTNFET-DC-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-TC
仓库库存编号:
HTNFET-TC-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN1409ASTOA
仓库库存编号:
ZVN1409ASTOA-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN1409ASTOB
仓库库存编号:
ZVN1409ASTOB-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 90V 10mA(Ta) 625mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN1409ASTZ
仓库库存编号:
ZVN1409ASTZ-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),166A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6714MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6714MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6714MTR1PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 34A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6715MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6715MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6715MTR1PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 39A(Ta),180A(Tc) 3.6W(Ta),78W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6716MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6716MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6716MTR1PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100μA,
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