规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(1513)
分立半导体产品
(1513)
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Tc) 12.5W(Tc) 8-SOP
型号:
TSM120N06LCS RLG
仓库库存编号:
TSM120N06LCS RLGDKR-ND
别名:TSM120N06LCS RLGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 70A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号:
TSM120N06LCP ROGTR-ND
别名:TSM120N06LCP ROGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 70A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号:
TSM120N06LCP ROGCT-ND
别名:TSM120N06LCP ROGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 70A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号:
TSM120N06LCP ROGDKR-ND
别名:TSM120N06LCP ROGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 124A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM036N03PQ56 RLGTR-ND
别名:TSM036N03PQ56 RLGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 124A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM036N03PQ56 RLGCT-ND
别名:TSM036N03PQ56 RLGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 124A(Tc) 83W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM036N03PQ56 RLGDKR-ND
别名:TSM036N03PQ56 RLGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5124PLTAGOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS484ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS484ENW-T1_GE3CT-ND
别名:SQS484ENW-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ474EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 16A(Tc) 62W(Tc)
型号:
SQS484EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS484EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS484EN-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4590DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4590DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4590DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Tc) 4.2W(Tc) 8-SO
型号:
SI4431CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4431CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4431CDY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJA82EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJA82EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ454EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ454EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISS71DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS71DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS71DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 80V 32A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ479EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ479EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 100V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ974EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ974EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ974EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ407EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ407EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 170A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM020N04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM020N04LCR RLGTR-ND
别名:TSM020N04LCR RLGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 170A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM020N04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM020N04LCR RLGCT-ND
别名:TSM020N04LCR RLGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 170A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM020N04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM020N04LCR RLGDKR-ND
别名:TSM020N04LCR RLGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD35NF3LLT4
仓库库存编号:
497-2475-1-ND
别名:497-2475-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 60V 38A(Tc) 46W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM170N06CH C5G
仓库库存编号:
TSM170N06CH C5G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
搜索
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号