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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8876
  仓库库存编号：FDS8876CT-ND
  别名：FDS8876CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8782
  仓库库存编号：FDD8782CT-ND
  别名：FDD8782CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
  别名：SQ7415AEN-T1-GE3
  SQ7415AEN-T1-GE3TR
  SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
  SQ7415AEN-T1_GE3TR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8882
  仓库库存编号：FDD8882CT-ND
  别名：FDD8882CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 12A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） DPAK
  
  型号：STD28P3LLH6AG
  仓库库存编号：497-16301-1-ND
  别名：497-16301-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），31A（Tc） 1.16W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6015LPS-13
  仓库库存编号：DMT6015LPS-13DICT-ND
  别名：DMT6015LPS-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.7A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4101DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4101DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4101DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7149ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7149ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7149ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V PWR33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），18W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8884_F126
  仓库库存编号：FDMC8884_F126CT-ND
  别名：FDMC8884_F126CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 33W（Tc）
  
  型号：SQS462EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS462EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS462EN-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6692A
  仓库库存编号：FDS6692ACT-ND
  别名：FDS6692ACT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Tc） 6W（Tc）
  
  型号：SQ4431EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4431EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4431EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD15N06-42L_GE3
  仓库库存编号：SQD15N06-42L_GE3CT-ND
  别名：SQD15N06-42L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 1.7W（Ta） TO-252
  
  型号：DMP4010SK3Q-13
  仓库库存编号：DMP4010SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMP4010SK3Q-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 30W（Tc） DPAK
  
  型号：STD19N3LLH6AG
  仓库库存编号：497-16512-1-ND
  别名：497-16512-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS6N754
  仓库库存编号：FDFS6N754CT-ND
  别名：FDFS6N754CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264
  仓库库存编号：785-1697-1-ND
  别名：785-1697-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8770
  仓库库存编号：FDD8770CT-ND
  别名：FDD8770CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4804NT4G
  仓库库存编号：NTD4804NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4804NT4GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23.5A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ968EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ968EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ968EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY N/P-CH 100V SO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ570EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ570EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ570EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 46A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA84EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA84EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA84EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.4A 4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ9945BEY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ9945BEY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ9945BEY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Tc） 42W（Tc） TO-252-5
  
  型号：FDD850N10LD
  仓库库存编号：FDD850N10LDCT-ND
  别名：FDD850N10LDCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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