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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8016S
  仓库库存编号：FDPC8016SCT-ND
  别名：FDPC8016SCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ900E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ900E-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB40NF10LT4
  仓库库存编号：497-3736-1-ND
  别名：497-3736-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STD155N3LH6
  仓库库存编号：497-11308-1-ND
  别名：497-11308-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3TR-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3TR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD90P04-9M4L_GE3
  仓库库存编号：SQD90P04-9M4L_GE3CT-ND
  别名：SQD90P04-9M4L_GE3-ND
  SQD90P04-9M4L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 40A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8014AS
  仓库库存编号：FDPC8014ASCT-ND
  别名：FDPC8014ASCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ410EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ410EL-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
  
  型号：SQM120N04-1M7L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
  别名：SQM120N04-1M7L-GE3-ND
  SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
  SQM120N04-1M7L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM40010EL-GE3
  仓库库存编号：SUM40010EL-GE3CT-ND
  别名：SUM40010EL-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7658ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7658ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7658ADP-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc）
  
  型号：SI7148DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7148DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7148DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 30A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ463EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ463EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ463EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-13L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-13L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-13L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P04-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P04-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P04-09L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 20.7A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4840EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4840EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4840EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
  
  型号：SQM120P04-04L_GE3
  仓库库存编号：SQM120P04-04L_GE3CT-ND
  别名：SQM120P04-04L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120P06-07L_GE3
  仓库库存编号：SQM120P06-07L_GE3CT-ND
  别名：SQM120P06-07L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK38N3LLH5
  仓库库存编号：497-8784-1-ND
  别名：497-8784-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
  
  型号：SQM120N06-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND
  别名：SQM120N06-3M5L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 460mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV130ENEAR
  仓库库存编号：1727-2299-1-ND
  别名：1727-2299-1
  568-12585-1
  568-12585-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  PMV90ENE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 460mW（Ta） TO-236AB
  
  型号：PMV90ENER
  仓库库存编号：1727-2735-1-ND
  别名：1727-2735-1
  568-13299-1
  568-13299-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 460mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV25ENEAR
  仓库库存编号：1727-2528-1-ND
  别名：1727-2528-1
  568-12967-1
  568-12967-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
  
  型号：PMGD780SN,115
  仓库库存编号：1727-3127-1-ND
  别名：1727-3127-1
  568-2369-1
  568-2369-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV100ENEAR
  仓库库存编号：1727-2524-1-ND
  别名：1727-2524-1
  568-12963-1
  568-12963-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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