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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 2W（Tc） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：SQ2308CES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2308CES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5867NLT4G
  仓库库存编号：NTD5867NLT4GOSCT-ND
  别名：NTD5867NLT4GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.9A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2343CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2343CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2343CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002E-T1-E3
  仓库库存编号：2N7002E-T1-E3CT-ND
  别名：2N7002E-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.2W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS412DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS412DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS412DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS413DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS413DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS413DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 510mA, 340mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：NDC7001C
  仓库库存编号：NDC7001CCT-ND
  别名：NDC7001CCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4128DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4128DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4128DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8984
  仓库库存编号：FDS8984CT-ND
  别名：FDS8984CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP4015SPS-13
  仓库库存编号：DMP4015SPS-13DICT-ND
  别名：DMP4015SPS-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），32.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD09P10-195-GE3
  仓库库存编号：SUD09P10-195-GE3CT-ND
  别名：SUD09P10-195-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 3.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMP4015SK3-13
  仓库库存编号：DMP4015SK3-13DICT-ND
  别名：DMP4015SK3-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Tc） 2.7W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4825DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4825DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4825DDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 16A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQS401EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS401EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS401EN-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR424DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR424DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR424DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS410DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS410DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS410DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD30N6LF6AG
  仓库库存编号：497-16302-1-ND
  别名：497-16302-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7625DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7625DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7625DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：STD44N4LF6
  仓库库存编号：497-11098-1-ND
  别名：497-11098-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR422DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR422DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR422DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7101DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7101DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7101DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45A（Tc） 2.1W（Ta），41.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD45P03-09-GE3
  仓库库存编号：SUD45P03-09-GE3CT-ND
  别名：SUD45P03-09-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 29A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4459ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4459ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4288DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4288DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4288DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR464DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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