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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8870
  仓库库存编号：FDB8870FSCT-ND
  别名：FDB8870FSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD100N3LF3
  仓库库存编号：497-16197-1-ND
  别名：497-16197-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：STD25NF10LA
  仓库库存编号：497-12552-1-ND
  别名：497-12552-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N04-3M3P-E3
  仓库库存编号：SUM90N04-3M3P-E3CT-ND
  别名：SUM90N04-3M3P-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR440DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR440DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR440DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD65N55LF3
  仓库库存编号：497-10877-1-ND
  别名：497-10877-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 166W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM70060EL_GE3
  仓库库存编号：SQM70060EL_GE3CT-ND
  别名：SQM70060EL_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870_F085
  仓库库存编号：FDP8870_F085-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50P08-25L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P08-25L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P08-25L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 41A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8014S
  仓库库存编号：FDPC8014SCT-ND
  别名：FDPC8014SCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF75LT4
  仓库库存编号：497-3514-1-ND
  别名：497-3514-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 17.3A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.3A（Tc） 7.14W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4401EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4401EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4401EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N03-2M2P-E3
  仓库库存编号：SUM90N03-2M2P-E3CT-ND
  别名：SUM90N03-2M2P-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM40010EL_GE3
  仓库库存编号：SQM40010EL_GE3CT-ND
  别名：SQM40010EL_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM40031EL_GE3
  仓库库存编号：SQM40031EL_GE3CT-ND
  别名：SQM40031EL_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 510mW（Ta）, 3.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV50ENEAR
  仓库库存编号：1727-2533-1-ND
  别名：1727-2533-1
  568-12972-1
  568-12972-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7424TRPBF
  仓库库存编号：IRF7424PBFCT-ND
  别名：*IRF7424TRPBF
  IRF7424PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7328TRPBF
  仓库库存编号：IRF7328PBFCT-ND
  别名：*IRF7328TRPBF
  IRF7328PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD35P6LLF6
  仓库库存编号：497-15462-1-ND
  别名：497-15462-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 4.8W（Ta）, 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8DN6LF6AG
  仓库库存编号：497-16504-1-ND
  别名：497-16504-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 42A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL42P6LLF6
  仓库库存编号：497-15479-1-ND
  别名：497-15479-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD25NF10LT4
  仓库库存编号：497-3156-1-ND
  别名：497-3156-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002K-T1-E3
  仓库库存编号：2N7002K-T1-E3CT-ND
  别名：2N7002K-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：2N7002WT1G
  仓库库存编号：2N7002WT1GOSCT-ND
  别名：2N7002WT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJD5121NT1G
  仓库库存编号：NTJD5121NT1GOSCT-ND
  别名：NTJD5121NT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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