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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM160N10LCR RLG
  仓库库存编号：TSM160N10LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM160N10LCR RLGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 55A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ423EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ423EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET ARRAY 2P-CH 30V 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Ta) 2.7W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS5DP3LLH6
  仓库库存编号：STS5DP3LLH6-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 75W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL20DNF06LAG
  仓库库存编号：STL20DNF06LAG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB80EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB80EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB80EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP95N3LLH6
  仓库库存编号：497-10307-5-ND
  别名：497-10307-5
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM026NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM026NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM026NA03CR RLGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 44.6W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM061NA03CV RGG
  仓库库存编号：TSM061NA03CV RGGTR-ND
  别名：TSM061NA03CV RGGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 44.6W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM061NA03CV RGG
  仓库库存编号：TSM061NA03CV RGGCT-ND
  别名：TSM061NA03CV RGGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 44.6W（Tc） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：TSM061NA03CV RGG
  仓库库存编号：TSM061NA03CV RGGDKR-ND
  别名：TSM061NA03CV RGGDKR
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 12A, 16A 20W, 30W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ704DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ704DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ704DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA62EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA62EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 40V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD40P3LLH6
  仓库库存编号：STD40P3LLH6-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM089N08LCR RLG
  仓库库存编号：TSM089N08LCR RLGTR-ND
  别名：TSM089N08LCR RLGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM089N08LCR RLG
  仓库库存编号：TSM089N08LCR RLGCT-ND
  别名：TSM089N08LCR RLGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM089N08LCR RLG
  仓库库存编号：TSM089N08LCR RLGDKR-ND
  别名：TSM089N08LCR RLGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ409EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ409EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ409EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM900N06CH X0G
  仓库库存编号：TSM900N06CH X0G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 4.8W（Ta）, 75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL20NF06LAG
  仓库库存编号：STL20NF06LAG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 46A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD46P4LLF6
  仓库库存编号：497-15463-1-ND
  别名：497-15463-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 65W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N6LF3
  仓库库存编号：STL8N6LF3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 185A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM018NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM018NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM018NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 185A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM018NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM018NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM018NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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