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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3.1W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4823NTWG
仓库库存编号：
NVTFS4823NTWG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
型号：
SVD5806NT4G
仓库库存编号：
SVD5806NT4G-ND
别名：NVD5806NT4G
NVD5806NT4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Ta） 890mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4916NR2G
仓库库存编号：
NTMS4916NR2G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS840EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS840EN-T1_GE3-ND
别名：SQS840EN-T1-GE3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） DPAK
型号：
NVD4810NT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD4810NT4G-VF01-ND
别名：NVD4810NT4G
NVD4810NT4G-ND
NVD5862NT4G-VF01
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.3W Surface Mount 8-SOIC
型号：
SQ4532AEY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4532AEY-T1_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 15A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），55A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH3010LK3-13
仓库库存编号：
DMNH3010LK3-13-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），85A（Tc） 880mW（Ta），48.4W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4847NAT3G
仓库库存编号：
NTMFS4847NAT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） DPAK
型号：
NTD4805NT4G
仓库库存编号：
NTD4805NT4GOSCT-ND
别名：NTD4805NT4GOSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 52W（Tc） TO-263
型号：
SKI03087
仓库库存编号：
SKI03087CT-ND
别名：SKI03087CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3.1W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4823NTAG
仓库库存编号：
NVTFS4823NTAG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 13.8A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6912A
仓库库存编号：
AON6912A-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS482EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS482EN-T1_GE3-ND
别名：SQS482EN-T1-GE3
SQS482EN-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQ7414AENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ7414AENW-T1_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ464EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ464EP-T1_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），7.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
型号：
SI4620DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4620DY-T1-E3TR-ND
别名：SI4620DY-T1-E3TR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A (Ta) 1.8W 8-SO
型号：
DMPH4015SSSQ-13
仓库库存编号：
DMPH4015SSSQ-13-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 7.6A (Ta) Surface Mount 8-SO
型号：
DMTH6016LSD-13
仓库库存编号：
DMTH6016LSD-13-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4214DDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4214DDY-T1-E3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Tc） 4W（Tc） 6-TSOP
型号：
SQ3418AEEV-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
别名：SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.6W（Ta），39W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5826NLT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS401ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS401ENW-T1_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS423EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS423EN-T1_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS850EN-T1_GE3
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SQS850EN-T1_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3.1W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4823NWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS4823NWFTWG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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