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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5485NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFD5485NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 40V 14A 3.8W Surface Mount D-Pak 5-Lead
  
  型号：NVDD5894NLT4G
  仓库库存编号：NVDD5894NLT4G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 3W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5489NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFD5489NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 18A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
  
  型号：SQ4425EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4425EY-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR158DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR158DP-T1-RE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5485NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5485NLT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5485NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFD5485NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 45A（Tc） 73.5W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP45P03-09-GE3
  仓库库存编号：SUP45P03-09-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.2W（Ta），84W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP50P04SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04SDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP50P04SDG-E1-AYCT
  NP50P04SDGE1AY
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 75A（Tc） 1W（Ta），138W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP75P03YDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP75P03YDG-E1-AYCT-ND
  别名：NP75P03YDG-E1-AYCT
  NP75P03YDGE1AY
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ458DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ458DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ458DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7720DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7720DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7720DN-T1-GE3TR
  SI7720DNT1GE3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.2A（Ta） 2.4W（Ta），60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP4813NLG
  仓库库存编号：NTP4813NLG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ402E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ402E-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5873NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5873NLT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5483NLT3G
  仓库库存编号：NVMFD5483NLT3G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5873NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFD5873NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5483NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFD5483NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7110DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7110DN-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7110DN-T1-GE3TR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4626ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4626ADY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4626ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4626ADY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 136W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQR40N10-25_GE3
  仓库库存编号：SQR40N10-25_GE3-ND
  别名：SQR40N10-25-GE3
  SQR40N10-25-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 8A TO263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8A（Ta），78A（Tc） 2.1W（Ta），187W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB411L
  仓库库存编号：AOB411L-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50N04-4M5L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N04-4M5L_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ410EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ410EP-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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