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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 85A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），104W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6260
仓库库存编号：
AON6260-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5483NLT1G
仓库库存编号：
NVMFD5483NLT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.4A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5483NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5483NLWFT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50P03-07_GE3
仓库库存编号：
SQD50P03-07_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM100N02-3M5L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP50P03-07_GE3
仓库库存编号：
SQP50P03-07_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 136W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM47N10-24L_GE3
仓库库存编号：
SQM47N10-24L_GE3-ND
别名：SQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM40P10-40L_GE3
仓库库存编号：
SQM40P10-40L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50N04-4M0L_GE3
仓库库存编号：
SQM50N04-4M0L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P04-09L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P04-09L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P06-15L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P06-15L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P08-25L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P08-25L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP50N06-09L_GE3
仓库库存编号：
SQP50N06-09L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7788DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7788DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7788DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
型号：
FKV550T
仓库库存编号：
FKV550T-ND
别名：FKV550T DK
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），4.4W（Tc） 8-SO
型号：
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4636DY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110N05-06L_GE3
仓库库存编号：
SQM110N05-06L_GE3-ND
别名：SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N02-1M3L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N02-1M3L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.1W（Ta），78.1W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N03-3M6P-GE3
仓库库存编号：
SUP85N03-3M6P-GE3-ND
别名：SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M7L_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
别名：SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），191A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4833NAT1G
仓库库存编号：
NTMFS4833NAT1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110P06-8M9L_GE3
仓库库存编号：
SQM110P06-8M9L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号：
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262-3
型号：
SQV120N06-4M7L_GE3
仓库库存编号：
SQV120N06-4M7L_GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号：
SQM100N10-10_GE3-ND
别名：SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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