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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 93A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM100P10-19L_GE3
  仓库库存编号：SQM100P10-19L_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD45N05-20L-GE3
  仓库库存编号：SQD45N05-20L-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM50020EL_GE3
  仓库库存编号：SQM50020EL_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP90P06-07L_GE3
  仓库库存编号：SQP90P06-07L_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
  
  型号：SQM120N03-1M5L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N03-1M5L_GE3-ND
  别名：SQM120N03-1M5L-GE3
  SQM120N03-1M5L-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870
  仓库库存编号：FDP8870-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120P10_10M1LGE3
  仓库库存编号：SQM120P10_10M1LGE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP120N06-3M5L_GE3
  仓库库存编号：SQP120N06-3M5L_GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SQM200N04-1M1L_GE3
  仓库库存编号：SQM200N04-1M1L_GE3-ND
  别名：SQM200N04-1M1L-GE3
  SQM200N04-1M1L-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK800
  仓库库存编号：497-5123-1-ND
  别名：497-5123-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD40N10-25_GE3
  仓库库存编号：SQD40N10-25_GE3-ND
  别名：SQD40N10-25-GE3
  SQD40N10-25-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SMM2348ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SMM2348ES-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8007ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8007ENGR-ND
  别名：917-EPC8007ENGR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2.7A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8008ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8008ENGR-ND
  别名：917-EPC8008ENGR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 2.9A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8005ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8005ENGR-ND
  别名：917-EPC8005ENGR
  EPC8005ENGH
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 2A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8002ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8002ENGR-ND
  别名：917-EPC8002ENGR
  EPC8002ENGI
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.7A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8010ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8010ENGR-ND
  别名：917-EPC8010ENGR
  EPC8010ENGJ
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8003ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8003ENGR-ND
  别名：917-EPC8003ENGR
  EPC8003ENGK
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 370W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLS4030TRL
  仓库库存编号：AUIRLS4030TRL-ND
  别名：SP001520410
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLS3036TRL
  仓库库存编号：AUIRLS3036TRL-ND
  别名：SP001519912
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS4030-7TRL
  仓库库存编号：AUIRLS4030-7TRL-ND
  别名：SP001520400
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS3036-7TRL
  仓库库存编号：AUIRLS3036-7TRL-ND
  别名：SP001518960
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS3034-7TRL
  仓库库存编号：AUIRLS3034-7TRL-ND
  别名：SP001519894
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 270A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRLSL3036
  仓库库存编号：AUIRLSL3036-ND
  别名：SP001521854
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL100NH3LL
  仓库库存编号：497-5813-1-ND
  别名：497-5813-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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