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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
型号：
STK30N2LLH5
仓库库存编号：
497-10302-1-ND
别名：497-10302-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
型号：
STU75N3LLH6-S
仓库库存编号：
STU75N3LLH6-S-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STU95N3LLH6
仓库库存编号：
497-12704-5-ND
别名：497-12704-5
STU95N3LLH6-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL9N3LLH5
仓库库存编号：
497-10393-1-ND
别名：497-10393-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
STD35N3LH5
仓库库存编号：
497-10956-1-ND
别名：497-10956-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Tc） D2PAK
型号：
STB16NF25
仓库库存编号：
STB16NF25-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL15N3LLH5
仓库库存编号：
497-12599-1-ND
别名：497-12599-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.2A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV22EN,215
仓库库存编号：
568-7535-1-ND
别名：568-7535-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 385mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
2N7002E,215
仓库库存编号：
568-4858-1-ND
别名：568-4858-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 475mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
2N7002F,215
仓库库存编号：
568-5983-1-ND
别名：568-5983-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
型号：
2N7002TA
仓库库存编号：
2N7002CT-ND
别名：2N7002CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23-3
型号：
2N7002-7
仓库库存编号：
2N7002DITR-ND
别名：2N7002DI
2N7002DITR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS352P
仓库库存编号：
NDS352PCT-ND
别名：NDS352PCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS356P
仓库库存编号：
NDS356PCT-ND
别名：NDS356PCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203STRL
仓库库存编号：
IRL2203STRL-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203STRR
仓库库存编号：
IRL2203STRR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
型号：
BSS8402DW-7
仓库库存编号：
BSS8402DWDICT-ND
别名：BSS8402DW7
BSS8402DWDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Tc） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
2N7002LT1
仓库库存编号：
2N7002LT1OSCT-ND
别名：2N7002LT1OSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
型号：
NTMD6N03R2
仓库库存编号：
NTMD6N03R2OS-ND
别名：NTMD6N03R2OS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS3P03R2
仓库库存编号：
NTMS3P03R2OS-ND
别名：NTMS3P03R2OS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD3P102R2
仓库库存编号：
NTMSD3P102R2OS-ND
别名：NTMSD3P102R2OS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD6N303R2
仓库库存编号：
NTMSD6N303R2OS-ND
别名：NTMSD6N303R2OS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
型号：
2N7002V-7
仓库库存编号：
2N7002VDICT-ND
别名：2N7002VDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
型号：
2N7002V-TP
仓库库存编号：
2N7002VTPMSCT-ND
别名：2N7002VTP
2N7002VTPMSCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS3P03R2G
仓库库存编号：
NTMS3P03R2GOS-ND
别名：NTMS3P03R2GOS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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