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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.8A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4708NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4708NT3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.4A（Ta） 830mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4706NR2
仓库库存编号：
NTMS4706NR2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.4A（Ta） 830mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4706NR2G
仓库库存编号：
NTMS4706NR2G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.34A（Ta） 730mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD3P102R2SG
仓库库存编号：
NTMSD3P102R2SG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMSD6N303R2SG
仓库库存编号：
NTMSD6N303R2SG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 330mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
型号：
SI1022R-T1-E3
仓库库存编号：
SI1022R-T1-E3CT-ND
别名：SI1022R-T1-E3CT
SI1022RT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1026X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1026X-T1-E3CT-ND
别名：SI1026X-T1-E3CT
SI1026XT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 305mA, 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号：
SI1029X-T1-E3
仓库库存编号：
SI1029X-T1-E3CT-ND
别名：SI1029X-T1-E3CT
SI1029XT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1426DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1426DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1426DH-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.6A（Tc） 1.93W（Ta），2.75W（Tc） 8-SO
型号：
SI4833ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4833ADY-T1-E3TR-ND
别名：SI4833ADY-T1-E3TR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.5A, 5.7A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4914DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4914DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4914DY-T1-E3CT
SI4914DYT1E3
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804N-1G
仓库库存编号：
NTD4804N-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804N-35G
仓库库存编号：
NTD4804N-35GOS-ND
别名：NTD4804N-35G-ND
NTD4804N-35GOS
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804NA-1G
仓库库存编号：
NTD4804NA-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4804NA-35G
仓库库存编号：
NTD4804NA-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4805N-1G
仓库库存编号：
NTD4805N-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4805N-35G
仓库库存编号：
NTD4805N-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4806N-1G
仓库库存编号：
NTD4806N-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4806N-35G
仓库库存编号：
NTD4806N-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） I-Pak
型号：
NTD4806NA-1G
仓库库存编号：
NTD4806NA-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） I-Pak
型号：
NTD4806NA-35G
仓库库存编号：
NTD4806NA-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） DPAK
型号：
NTD4806NAT4G
仓库库存编号：
NTD4806NAT4G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4808N-35G
仓库库存编号：
NTD4808N-35G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），63A（Tc） 1.4W（Ta），54.6W（Tc） DPAK
型号：
NTD4808NT4G
仓库库存编号：
NTD4808NT4G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
型号：
NTD4809N-1G
仓库库存编号：
NTD4809N-1G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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