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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（M）
  
  型号：SIE860DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE860DF-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ400DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ400DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ484DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ484DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD35N05-26L-GE3
  仓库库存编号：SQD35N05-26L-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ941EP-T1-GE3
  仓库库存编号：SQJ941EP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A TO263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM110P04-04L-GE3
  仓库库存编号：SQM110P04-04L-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 5.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.4A（Ta），8A（Tc） 2W（Ta），10.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N04-37P-T4-E3
  仓库库存编号：SUD50N04-37P-T4-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90N03-03-E3
  仓库库存编号：SUP90N03-03-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），66A（Tc） 870mW（Ta），41.7W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4826NET1G
  仓库库存编号：NTMFS4826NET1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4826NET1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58.5A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），58.5A（Tc） 870mW（Ta），38.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4827NET1G
  仓库库存编号：NTMFS4827NET1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4827NET1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 38A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta），36A（Tc） 1.38W（Ta），24.6W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4970NT4G
  仓库库存编号：NTD4970NT4G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 880mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4917NR2G
  仓库库存编号：NTMS4917NR2G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），58.5A（Tc） 870mW（Ta），38.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4921NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4921NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4921NT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP15P04SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP15P04SLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP15P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP15P06SLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
  
  型号：NP160N04TDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP160N04TDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP20P04SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP20P04SLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP20P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP20P06SLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 22A（Ta） 1.2W（Ta），45W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP22N055SLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP22N055SLE-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 1.8W（Ta），85W（Tc） TO-263
  
  型号：NP48N055KLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP48N055KLE-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP55N055SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP55N055SDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N055KLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP80N055KLE-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-262
  
  型号：NP80N055NDG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N055NDG-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP80N06MLG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N06MLG-S18-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
  
  型号：NP82N04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP82N04PDG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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