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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 17A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6928
  仓库库存编号：AON6928-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
  
  型号：2N7002DWA-7
  仓库库存编号：2N7002DWA-7DICT-ND
  别名：2N7002DWA-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：NP40N10PDF-E1-AY
  仓库库存编号：NP40N10PDF-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1W（Ta），120W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP40N10YDF-E1-AY
  仓库库存编号：NP40N10YDF-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N03VLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N03VLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F36N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F36N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F36N8TADI
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.4A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMP3F37N8TA
  仓库库存编号：ZXMP3F37N8TADI-ND
  别名：ZXMP3F37N8TADI
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN25EN,115
  仓库库存编号：568-10416-1-ND
  别名：568-10416-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 510mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB70EN,115
  仓库库存编号：568-10761-1-ND
  别名：568-10761-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.7A（Ta） 275mW（Ta） SOT-323-3
  
  型号：PMF87EN,115
  仓库库存编号：568-10787-1-ND
  别名：568-10787-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：PMN35EN,125
  仓库库存编号：568-10800-1-ND
  别名：568-10800-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.8A（Ta） 800mW（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PMT200EN,135
  仓库库存编号：568-10826-1-ND
  别名：568-10826-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.4A（Ta） 820mW（Ta），8.33W（Tc） SOT-223
  
  型号：PMT21EN,135
  仓库库存编号：568-10827-1-ND
  别名：568-10827-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 820mW（Ta），8.33W（Tc） SOT-223
  
  型号：PMT29EN,115
  仓库库存编号：568-10828-1-ND
  别名：568-10828-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V SC-73
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 900mA（Ta） 800mW（Ta），6.2W（Tc） SOT-223
  
  型号：PMT760EN,135
  仓库库存编号：568-10829-1-ND
  别名：568-10829-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.1A（Ta） 380mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV37EN,215
  仓库库存编号：568-10835-1-ND
  别名：568-10835-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.9A（Ta） 310mW（Ta）, 2.09W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV90EN,215
  仓库库存编号：568-10838-1-ND
  别名：568-10838-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 4.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8004ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8004ENGR-ND
  别名：917-EPC8004ENGR
  EPC8004ENGA
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 4.1A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8009ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8009ENGR-ND
  别名：917-EPC8009ENGR
  EPC8009ENGG
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS330DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS330DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ962EP-T1-GE3
  仓库库存编号：SQJ962EP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR330DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR330DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR330DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 42A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Tc） 2.5W（Ta），73.5W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD42N03-3M9P-GE3
  仓库库存编号：SUD42N03-3M9P-GE3CT-ND
  别名：SUD42N03-3M9P-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2319ES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2319ES-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4805NT4G
  仓库库存编号：NVD4805NT4G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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