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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 7.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7.1A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4813
仓库库存编号:
785-1058-1-ND
别名:785-1058-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名:SQ7414AEN-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.5A(Ta) 1.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP4015SPSQ-13
仓库库存编号:
DMP4015SPSQ-13DICT-ND
别名:DMP4015SPSQ-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7716ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7716ADN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD3P03R2G
仓库库存编号:
NTMD3P03R2GOSCT-ND
别名:NTMD3P03R2GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ858AEP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ858AEP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS270
仓库库存编号:
BS270FS-ND
别名:BS270-ND
BS270FS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.47W(Ta) 8-SO
型号:
SI4386DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4386DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4386DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4286DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4286DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4286DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS5NF60L
仓库库存编号:
497-8044-1-ND
别名:497-8044-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
2N7008-G
仓库库存编号:
2N7008-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4164DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4164DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4164DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Ta),35A(Tc) 1.26W(Ta),32.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4815N-35G
仓库库存编号:
NTD4815N-35GOS-ND
别名:NTD4815N-35G-ND
NTD4815N-35GOS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),160A(Tc) 160W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8870
仓库库存编号:
FDD8870FSCT-ND
别名:FDD8870FSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7228DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7228DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7228DN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 83W(Tc)
型号:
SQJ422EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ422EP-T1_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2908TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR2908TRLPBFCT-ND
别名:IRLR2908TRLPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD40N06-14L_GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-14L_GE3CT-ND
别名:SQD40N06-14L_GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86102LZ
仓库库存编号:
FDMS86102LZCT-ND
别名:FDMS86102LZCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR494DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N06LTU
仓库库存编号:
FQU13N06LTU-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD95N4LF3
仓库库存编号:
497-8776-1-ND
别名:497-8776-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.6A(Tc) 45W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP13N06L
仓库库存编号:
FQP13N06L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N06LTU_WS
仓库库存编号:
FQU13N06LTU_WS-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) TO-220
型号:
AOT2618L
仓库库存编号:
785-1438-5-ND
别名:785-1438-5
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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