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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P06-15L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P06-15L_GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 24W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N06L
  仓库库存编号：FQPF13N06L-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP85N3LH5
  仓库库存编号：497-8451-5-ND
  别名：497-8451-5
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3713STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3713STRLPBFCT-ND
  别名：IRL3713STRLPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRLS3036TRL7PP
  仓库库存编号：IRLS3036TRL7PPCT-ND
  别名：IRLS3036TRL7PPCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 370W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLS4030TRLPBF
  仓库库存编号：IRLS4030TRLPBFCT-ND
  别名：IRLS4030TRLPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• EPC
  TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8002
  仓库库存编号：917-1118-1-ND
  别名：917-1118-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP85NF55L
  仓库库存编号：497-7532-5-ND
  别名：497-7532-5
  STP85NF55L-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB3034PBF
  仓库库存编号：IRLB3034PBF-ND
  别名：64-0061PBF
  64-0061PBF-ND
  SP001578716
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP50020EL-GE3
  仓库库存编号：SUP50020EL-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF03L-04
  仓库库存编号：497-2676-5-ND
  别名：497-2676-5
  STP80NF03L04
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLB3036PBF
  仓库库存编号：IRLB3036PBF-ND
  别名：64-0100PBF
  64-0100PBF-ND
  SP001568396
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PS
  仓库库存编号：TPH3202PS-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Transphorm
  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PD
  仓库库存编号：TPH3202PD-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：2N7002H6327XTSA2
  仓库库存编号：2N7002H6327XTSA2CT-ND
  别名：2N7002H6327XTSA2CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
  
  型号：2N7002DWH6327XTSA1
  仓库库存编号：2N7002DWH6327XTSA1CT-ND
  别名：2N7002DW H6327CT
  2N7002DW H6327CT-ND
  2N7002DWH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 2W（Ta） HUML2020L8
  
  型号：RF4E080GNTR
  仓库库存编号：RF4E080GNTRCT-ND
  别名：RF4E080GNTRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 350mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：CMXDM7002A TR
  仓库库存编号：CMXDM7002A CT-ND
  别名：CMXDM7002A CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5203GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML5203GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML5203GTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
  
  型号：AON3611
  仓库库存编号：785-1570-1-ND
  别名：785-1570-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN3016LSS-13
  仓库库存编号：DMN3016LSS-13DICT-ND
  别名：DMN3016LSS-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），30A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3010LFG-7
  仓库库存编号：DMN3010LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3010LFG-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4809NT4G
  仓库库存编号：NTD4809NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4809NT4GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8880
  仓库库存编号：FDD8880CT-ND
  别名：FDD8880CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta），73A（Tc） 1.3W（Ta），54.5W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4858NT4G
  仓库库存编号：NTD4858NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4858NT4GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA,
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