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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：NDS331N
  仓库库存编号：NDS331NCT-ND
  别名：NDS331NCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
  详细描述：表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 170mW（Ta） SOT-563
  
  型号：NTZS3151PT1G
  仓库库存编号：NTZS3151PT1GOSCT-ND
  别名：NTZS3151PT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN337N
  仓库库存编号：FDN337NCT-ND
  别名：FDN337NCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2305CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2305CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2305CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
  
  型号：SI1016CX-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1016CX-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1016CX-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 1.25W（Ta），1.8W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2336DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2336DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2336DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5935CDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5935CDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5935CDC-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA533EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA533EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A14FTA
  仓库库存编号：ZXMN3A14FCT-ND
  别名：ZXMN3A14FCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3473CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3473CDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4838BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4838BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 2.4W（Ta），48W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC610P
  仓库库存编号：FDMC610PCT-ND
  别名：FDMC610PCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6020P
  仓库库存编号：NDB6020PCT-ND
  别名：NDB6020PCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2803TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2803PBFCT-ND
  别名：*IRLML2803TRPBF
  IRLML2803PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 400mW（Ta） DFN2015H4-3
  
  型号：DMG3415UFY4-7
  仓库库存编号：DMG3415UFY4-7DICT-ND
  别名：DMG3415UFY4-7DICT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1012CR-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1012CR-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1012CR-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJD1155LT1G
  仓库库存编号：NTJD1155LT1GOSCT-ND
  别名：NTJD1155LT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta）
  
  型号：DMP1045UFY4-7
  仓库库存编号：DMP1045UFY4-7DICT-ND
  别名：DMP1045UFY4-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3460DDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3460DDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3460DDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
  详细描述：表面贴装 P 沟道 430mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMP22D6UT-7
  仓库库存编号：DMP22D6UTDICT-ND
  别名：DMP22D6UTDICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2333CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA908PZ
  仓库库存编号：FDMA908PZCT-ND
  别名：FDMA908PZCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA517DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA517DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA517DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5475DDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5475DDC-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN7A11KTC
  仓库库存编号：ZXMN7A11KCT-ND
  别名：ZXMN7A11KCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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