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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7343TRPBF
仓库库存编号:
IRF7343PBFCT-ND
别名:*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 8.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NVF6P02T3G
仓库库存编号:
NVF6P02T3GOSCT-ND
别名:NVF6P02T3GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7343QTR
仓库库存编号:
AUIRF7343QCT-ND
别名:AUIRF7343QCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) X2-DFN1010-3
型号:
DMN1045UFR4-7
仓库库存编号:
DMN1045UFR4-7DICT-ND
别名:DMN1045UFR4-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Ta) 660mW(Ta) 6-UDFN2020(2x2)
型号:
DMN2022UFDF-7
仓库库存编号:
DMN2022UFDF-7DICT-ND
别名:DMN2022UFDF-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述:表面贴装 P 沟道 430mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP2004TK-7
仓库库存编号:
DMP2004TKDICT-ND
别名:DMP2004TKDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA406DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA406DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB422EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB422EDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB422EDK-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7503TRPBF
仓库库存编号:
IRF7503TRPBFCT-ND
别名:IRF7503TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7309TRPBF
仓库库存编号:
IRF7309PBFCT-ND
别名:*IRF7309TRPBF
IRF7309PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP6A17GQTA
仓库库存编号:
ZXMP6A17GQTADICT-ND
别名:ZXMP6A17GQTADICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7405BDN-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4465ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4465ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4465ADY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 14A(Tc) 33W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIB9343PBF
仓库库存编号:
IRLIB9343PBF-ND
别名:*IRLIB9343PBF
SP001558256
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.3W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5853DDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5853DDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5853DDC-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA425EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA425EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7809AVTRPBF
仓库库存编号:
IRF7809AVPBFCT-ND
别名:*IRF7809AVTRPBF
IRF7809AVPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 62.5W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL56N3LLH5
仓库库存编号:
497-11849-1-ND
别名:497-11849-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI3415-TP
仓库库存编号:
SI3415-TPMSCT-ND
别名:SI3415-TPMSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号:
TSM2301ACX RFGTR-ND
别名:TSM2301ACX RFGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号:
TSM2301ACX RFGCT-ND
别名:TSM2301ACX RFGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号:
TSM2301ACX RFGDKR-ND
别名:TSM2301ACX RFGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 450mA(Ta) 190mW(Ta)
型号:
SI1013CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1013CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1013CX-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount
型号:
SI1034CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1034CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1034CX-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3493DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3493DDV-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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