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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc)
型号:
SI1424EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1424EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1424EDH-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3446CX6 RKG
仓库库存编号:
TSM3446CX6 RKGTR-ND
别名:TSM3446CX6 RFG
TSM3446CX6 RFGTR
TSM3446CX6 RFGTR-ND
TSM3446CX6 RKGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3446CX6 RKG
仓库库存编号:
TSM3446CX6 RKGCT-ND
别名:TSM3446CX6 RFGCT
TSM3446CX6 RFGCT-ND
TSM3446CX6 RKGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3446CX6 RKG
仓库库存编号:
TSM3446CX6 RKGDKR-ND
别名:TSM3446CX6 RFGDKR
TSM3446CX6 RFGDKR-ND
TSM3446CX6 RKGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta),8A(Tc) 4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3429EDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3429EDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3429EDV-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1208-TP
仓库库存编号:
MCM1208-TPMSCT-ND
别名:MCM1208-TPMSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM2537CQ RFG
仓库库存编号:
TSM2537CQ RFGTR-ND
别名:TSM2537CQ RFGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM2537CQ RFG
仓库库存编号:
TSM2537CQ RFGCT-ND
别名:TSM2537CQ RFGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM2537CQ RFG
仓库库存编号:
TSM2537CQ RFGDKR-ND
别名:TSM2537CQ RFGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4424CS RVG
仓库库存编号:
TSM4424CS RVGTR-ND
别名:TSM4424CS RLG
TSM4424CS RLGTR
TSM4424CS RLGTR-ND
TSM4424CS RVGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4424CS RVG
仓库库存编号:
TSM4424CS RVGCT-ND
别名:TSM4424CS RLGCT
TSM4424CS RLGCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM4424CS RLG
仓库库存编号:
TSM4424CS RVGDKR-ND
别名:TSM4424CS RLGDKR
TSM4424CS RLGDKR-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA477EDJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA477EDJT-T1-GE3CT-ND
别名:SIA477EDJT-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2323CX RFG
仓库库存编号:
TSM2323CX RFGTR-ND
别名:TSM2323CX RFGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2323CX RFG
仓库库存编号:
TSM2323CX RFGCT-ND
别名:TSM2323CX RFGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2323CX RFG
仓库库存编号:
TSM2323CX RFGDKR-ND
别名:TSM2323CX RFGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (G-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 5W(Tc) 8-SOIC
型号:
SI4403DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4403DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4403DDY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:8V 24VU-DFN2020-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel 20V 4.5A (Ta) 1.54W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMP2065UFDB-7
仓库库存编号:
DMP2065UFDB-7DICT-ND
别名:DMP2065UFDB-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1441EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1441EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1441EDH-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A (Tc) 1.14W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
TSM6963SDCA RVG
仓库库存编号:
TSM6963SDCA RVGTR-ND
别名:TSM6963SDCA RVGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A (Tc) 1.14W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
TSM6963SDCA RVG
仓库库存编号:
TSM6963SDCA RVGCT-ND
别名:TSM6963SDCA RVGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A (Tc) 1.14W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
TSM6963SDCA RVG
仓库库存编号:
TSM6963SDCA RVGDKR-ND
别名:TSM6963SDCA RVGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGTR-ND
别名:TSM9409CS RLGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGCT-ND
别名:TSM9409CS RLGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SOP
型号:
TSM9409CS RLG
仓库库存编号:
TSM9409CS RLGDKR-ND
别名:TSM9409CS RLGDKR
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