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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
CMPDM7003 TR
仓库库存编号:
CMPDM7003 CT-ND
别名:CMPDM7003 CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8812DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8812DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8812DB-T2-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 670mA, 530mA 450mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMC2004VK-7
仓库库存编号:
DMC2004VKDICT-ND
别名:DMC2004VKDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB417AEDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB417AEDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB417AEDK-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tj) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF4156NT1G
仓库库存编号:
NTLJF4156NT1GOSCT-ND
别名:NTLJF4156NT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF3117PT1G
仓库库存编号:
NTLJF3117PT1GOSCT-ND
别名:NTLJF3117PT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1965DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1965DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1965DH-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB410DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB410DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB410DK-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS5703PBFCT-ND
别名:*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 6A, 3.4A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMC1028UFDB-7
仓库库存编号:
DMC1028UFDB-7DICT-ND
别名:DMC1028UFDB-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1503TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1503PBFCT-ND
别名:*IRLMS1503TRPBF
IRLMS1503PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3115PT1G
仓库库存编号:
NTLJD3115PT1GOSCT-ND
别名:NTLJD3115PT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA913ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA913ADJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA913ADJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8461DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8461DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8461DB-T2-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.7A(Ta) 610mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN2011UFDE-7
仓库库存编号:
DMN2011UFDE-7DICT-ND
别名:DMN2011UFDE-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5415EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5415EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5415EDU-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP2021UFDF-7
仓库库存编号:
DMP2021UFDF-7DICT-ND
别名:DMP2021UFDF-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8433A
仓库库存编号:
FDS8433ACT-ND
别名:FDS8433ACT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME820NZT
仓库库存编号:
FDME820NZTCT-ND
别名:FDME820NZTCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP6A17N8TC
仓库库存编号:
ZXMP6A17N8TCCT-ND
别名:ZXMP6A17N8TCCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLR2703TRPBFCT-ND
别名:*IRLR2703TRPBF
IRLR2703PBFCT
IRLR2703PBFCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7319TRPBF
仓库库存编号:
IRF7319PBFCT-ND
别名:*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406TRPBF
仓库库存编号:
IRF7406PBFCT-ND
别名:*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.1W(Ta) 8-MSOP
型号:
ZXM64P03XTA
仓库库存编号:
ZXM64P03XCT-ND
别名:ZXM64P03X
ZXM64P03XCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR492DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA,
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