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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2703PBF
  仓库库存编号：IRL2703PBF-ND
  别名：*IRL2703PBF
  SP001558664
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3103PBF
  仓库库存编号：IRL3103PBF-ND
  别名：*IRL3103PBF
  SP001571808
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3803VPBF
  仓库库存编号：IRL3803VPBF-ND
  别名：*IRL3803VPBF
  SP001573706
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 116A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2203NPBF
  仓库库存编号：IRL2203NPBF-ND
  别名：*IRL2203NPBF
  SP001573688
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMP21D2UFA-7B
  仓库库存编号：DMP21D2UFA-7BDICT-ND
  别名：DMP21D2UFA-7BDICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML5103GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML5103GTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6409
  仓库库存编号：785-1074-1-ND
  别名：785-1074-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 920mW（Ta） U-WLB1510-6
  
  型号：DMP2070UCB6-7
  仓库库存编号：DMP2070UCB6-7DICT-ND
  别名：DMP2070UCB6-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA 350mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：CMLDM7003 TR
  仓库库存编号：CMLDM7003 CT-ND
  别名：CMLDM7003 CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N/P-CH 20V SOT563
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 350mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：CMLDM3757 TR
  仓库库存编号：CMLDM3757 CT-ND
  别名：CMLDM3757 CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Tc） 1.8W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
  
  型号：SIA811ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA811ADJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA811ADJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 690mW（Ta） 6-DFN2020（2x2）
  
  型号：DMP2039UFDE4-7
  仓库库存编号：DMP2039UFDE4-7DICT-ND
  别名：DMP2039UFDE4-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 430mA 350mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：CMLDM5757 TR
  仓库库存编号：CMLDM5757 CT-ND
  别名：CMLDM5757 CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 660mW（Ta） Power Micro Foot?
  
  型号：SI8851EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8851EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8851EDB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
  
  型号：FDZ197PZ
  仓库库存编号：FDZ197PZCT-ND
  别名：FDZ197PZCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1467DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1467DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1467DH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
  详细描述：表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-563
  
  型号：CMLDM8120G TR
  仓库库存编号：CMLDM8120G CT-ND
  别名：CMLDM8120G CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7506TRPBF
  仓库库存编号：IRF7506TRPBFCT-ND
  别名：IRF7506TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9952TRPBF
  仓库库存编号：IRF9952PBFCT-ND
  别名：*IRF9952TRPBF
  IRF9952PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9953TRPBF
  仓库库存编号：IRF9953PBFCT-ND
  别名：*IRF9953TRPBF
  IRF9953PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
  
  型号：DMN2011UFX-7
  仓库库存编号：DMN2011UFX-7DICT-ND
  别名：DMN2011UFX-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP26M7UFG-7
  仓库库存编号：DMP26M7UFG-7DICT-ND
  别名：DMP26M7UFG-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 1.3A（Ta） 540mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
  
  型号：DMN2600UFB-7
  仓库库存编号：DMN2600UFB-7DICT-ND
  别名：DMN2600UFB-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 160mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMN55D0UTQ-7
  仓库库存编号：DMN55D0UTQ-7DICT-ND
  别名：DMN55D0UTQ-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2305CX RFG
  仓库库存编号：TSM2305CX RFGTR-ND
  别名：TSM2305CX RFGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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