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• Cree/Wolfspeed
  900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 97W（Tc） TO-247-3
  
  型号：C3M0120090D
  仓库库存编号：C3M0120090D-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Cree/Wolfspeed
  1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） TO-247-4L
  
  型号：C3M0120100K
  仓库库存编号：C3M0120100K-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CP
  仓库库存编号：IPW60R045CPIN-ND
  别名：IPW60R045CP-ND
  IPW60R045CPFKSA1
  IPW60R045CPIN
  IPW60R045CPXK
  IPW60R045CSX
  SP000067149
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH70N60C5
  仓库库存编号：IXKH70N60C5-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 22A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0120090J-TR
  仓库库存编号：C3M0120090J-TRCT-ND
  别名：C3M0120090J-TRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR47N60C5
  仓库库存编号：IXKR47N60C5-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0120100J
  仓库库存编号：C3M0120100J-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM47-06KC5
  仓库库存编号：FDM47-06KC5-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD47-06KC5
  仓库库存编号：FMD47-06KC5-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB-TRR
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-TRR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCU2-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU3
  仓库库存编号：APT33N90JCU3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCCU2-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90H12T1G
  仓库库存编号：APTC90H12T1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC90H12SCTG
  仓库库存编号：APTC90H12SCTG-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R045CPAFKSA1
  仓库库存编号：IPW60R045CPAFKSA1-ND
  别名：SP000539772
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90DDA12T1G
  仓库库存编号：APTC90DDA12T1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90DSK12T1G
  仓库库存编号：APTC90DSK12T1G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTC90H12T2G
  仓库库存编号：APTC90H12T2G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 3mA,
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