品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY8N70X2
仓库库存编号:
IXTY8N70X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N70X2M
仓库库存编号:
IXTP8N70X2M-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N70X2
仓库库存编号:
IXTP8N70X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA12N65X2
仓库库存编号:
IXTA12N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-252
型号:
IXFY4N60P3
仓库库存编号:
IXFY4N60P3-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N60P3
仓库库存编号:
IXFP4N60P3-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-263
型号:
IXTA4N150HV
仓库库存编号:
IXTA4N150HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTH3N200P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-268
型号:
IXTT4N150HV
仓库库存编号:
IXTT4N150HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH2N300P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX22N100L
仓库库存编号:
IXTX22N100L-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTT3N200P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT2N300P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX4N300P3HV
仓库库存编号:
IXTX4N300P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 960W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTX6N200P3HV
仓库库存编号:
IXTX6N200P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMP26-02P
仓库库存编号:
FMP26-02P-ND
别名:FMP2602P
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252
型号:
IXTY2N65X2
仓库库存编号:
IXTY2N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2
仓库库存编号:
IXTP8N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N65X2
仓库库存编号:
IXTY4N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-220
型号:
IXTP2N65X2
仓库库存编号:
IXTP2N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 52A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 660W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH52N65X
仓库库存编号:
IXTH52N65X-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-220
型号:
IXTP12N65X2
仓库库存编号:
IXTP12N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IXTH12N65X2
仓库库存编号:
IXTH12N65X2-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY2N60P
仓库库存编号:
IXTY2N60P-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2N60P
仓库库存编号:
IXTP2N60P-ND
品牌:IXYS,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA,
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