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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3028LFDE-7
  仓库库存编号：DMP3028LFDE-7DICT-ND
  别名：DMP3028LFDE-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN4020LFDE-7
  仓库库存编号：DMN4020LFDE-7DICT-ND
  别名：DMN4020LFDE-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 7A, 5.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC4047LSD-13
  仓库库存编号：DMC4047LSD-13DICT-ND
  别名：DMC4047LSD-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 10W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N03-06AP-E3
  仓库库存编号：SUD50N03-06AP-E3CT-ND
  别名：SUD50N03-06AP-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL40B209
  仓库库存编号：IRL40B209-ND
  别名：SP001576458
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL60B216
  仓库库存编号：IRL60B216-ND
  别名：SP001568416
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMG7408SFG-7
  仓库库存编号：DMG7408SFG-7DICT-ND
  别名：DMG7408SFG-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.42W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMG4466SSSL-13
  仓库库存编号：DMG4466SSSL-13DICT-ND
  别名：DMG4466SSSL-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
  
  型号：MCQ4459-TP
  仓库库存编号：MCQ4459-TPMSCT-ND
  别名：MCQ4459-TPMSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA72DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA72DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA72DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA84DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA84DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：SIZ342DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ342DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ342DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS10DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS10DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS10DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 36.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJA54DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJA54DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJA54DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA72DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA72DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA58DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA58DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA52DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ438DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ438DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ438DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMP32D4SW-7
  仓库库存编号：DMP32D4SW-7DICT-ND
  别名：DMP32D4SW-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3024SFG-7
  仓库库存编号：DMN3024SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3024SFG-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA462DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA462DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA462DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），25A（Tc） 3.1W（Ta），15.5W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7406
  仓库库存编号：785-1137-1-ND
  别名：785-1137-1
  
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3028LFDE-13
  仓库库存编号：DMP3028LFDE-13DICT-ND
  别名：DMP3028LFDE-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR172ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR172ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR172ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 27A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 1.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMP3028LK3-13
  仓库库存编号：DMP3028LK3-13DICT-ND
  别名：DMP3028LK3-13DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA,
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