以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 340mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002K,215
  仓库库存编号：568-4984-1-ND
  别名：568-4984-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 520mA（Tc） 6.25W（Tc） SOT-223
  
  型号：BSP110,115
  仓库库存编号：568-6812-1-ND
  别名：568-6812-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.5A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT6N06LT,135
  仓库库存编号：568-7367-1-ND
  别名：568-7367-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.4A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN40LN,135
  仓库库存编号：568-7422-1-ND
  别名：568-7422-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.4A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN38EN,135
  仓库库存编号：568-7421-1-ND
  别名：568-7421-1
  PMN38EN135
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN49EN,135
  仓库库存编号：568-7424-1-ND
  别名：568-7424-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.2A（Tc） 1.75W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN45EN,135
  仓库库存编号：568-7423-1-ND
  别名：568-7423-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK9875-100A,115
  仓库库存编号：568-8033-1-ND
  别名：568-8033-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9609-55A,118
  仓库库存编号：568-9675-1-ND
  别名：568-9675-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK98180-100A,115
  仓库库存编号：568-9714-1-ND
  别名：568-9714-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JAN2N6901
  仓库库存编号：JAN2N6901-ND
  别名：JAN2N6901-MIL
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 1.69A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTX2N6901
  仓库库存编号：JANTX2N6901-ND
  别名：JANTX2N6901-MIL
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 1.69A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6901
  仓库库存编号：JANTXV2N6901-ND
  别名：JANTXV2N6901-MIL
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6901
  仓库库存编号：2N6901-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660-2
  仓库库存编号：2N6660-2-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660-E3
  仓库库存编号：2N6660-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTVP02
  仓库库存编号：2N6660JTVP02-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTX02
  仓库库存编号：2N6660JTX02-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTXL02
  仓库库存编号：2N6660JTXL02-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTXP02
  仓库库存编号：2N6660JTXP02-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 990mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：2N6660JTXV02
  仓库库存编号：2N6660JTXV02-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661
  仓库库存编号：2N6661-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661-2
  仓库库存编号：2N6661-2-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661-E3
  仓库库存编号：2N6661-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
  详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6661JAN02
  仓库库存编号：2N6661JAN02-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA,
• 含铅
• 搜索