规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(420)
分立半导体产品
(420)
筛选品牌
Microchip Technology (40)
Diodes Incorporated (35)
Infineon Technologies (9)
Microsemi Corporation (4)
Nexperia USA Inc. (124)
NXP USA Inc. (122)
Fairchild/Micross Components (1)
Fairchild/ON Semiconductor (7)
ON Semiconductor (4)
Panasonic Electronic Components (1)
Rohm Semiconductor (29)
Toshiba Semiconductor and Storage (27)
Vishay Siliconix (17)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 75A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP96NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP96NQ03LT,127-ND
别名:934056772127
PHP96NQ03LT
PHP96NQ03LT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 4.9A(Ta) 1.8W(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PHT11N06LT,135
仓库库存编号:
PHT11N06LT,135-ND
别名:934054590135
PHT11N06LT /T3
PHT11N06LT /T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 300mA(Tc) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000,126
仓库库存编号:
2N7000,126-ND
别名:2N7000 AMO
2N7000 AMO-ND
934003460126
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372 E6327
仓库库存编号:
BSP372 E6327-ND
别名:BSP372E6327T
SP000011120
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L
仓库库存编号:
BUZ31LIN-ND
别名:BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
BUZ31L E3044A
仓库库存编号:
BUZ31L E3044A-ND
别名:BUZ31LE3044ANT
BUZ31LE3044AT
SP000011961
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AL
仓库库存编号:
BUZ73ALIN-ND
别名:BUZ73AL-ND
BUZ73ALIN
BUZ73ALX
BUZ73ALXK
SP000011375
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73L
仓库库存编号:
BUZ73LIN-ND
别名:BUZ73L-ND
BUZ73LIN
BUZ73LX
BUZ73LXK
SP000011374
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP372L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP372L6327
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 98W(Tc) D2PAK
型号:
PHB23NQ10LT,118
仓库库存编号:
PHB23NQ10LT,118-ND
别名:934055798118
PHB23NQ10LT /T3
PHB23NQ10LT /T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 45.8A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1875L,115
仓库库存编号:
PH1875L,115-ND
别名:934059871115
PH1875L T/R
PH1875L T/R-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9030L,115
仓库库存编号:
PH9030L,115-ND
别名:934061644115
PH9030L T/R
PH9030L T/R-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
BUK9213-30A,118
仓库库存编号:
BUK9213-30A,118-ND
别名:934057315118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 34A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9535-55,127
仓库库存编号:
BUK9535-55,127-ND
别名:934050420127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 114W(Tc) DPAK
型号:
BUK9240-100A/C1,11
仓库库存编号:
BUK9240-100A/C1,11-ND
别名:934061623118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 32A(Tc) 77W(Tc) DPAK
型号:
BUK9237-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9237-55A/C1,118-ND
别名:934061634118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
BUK9222-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9222-55A/C1,118-ND
别名:934061635118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L H
仓库库存编号:
BUZ31L H-ND
别名:BUZ31LH
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73ALHXKSA1
仓库库存编号:
BUZ73ALHXKSA1-ND
别名:BUZ73AL H
BUZ73AL H-ND
BUZ73ALH
SP000683012
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73LHXKSA1
仓库库存编号:
BUZ73LHXKSA1-ND
别名:BUZ73L H
BUZ73L H-ND
SP000683014
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号