规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(420)
分立半导体产品
(420)
筛选品牌
Microchip Technology (40)
Diodes Incorporated (35)
Infineon Technologies (9)
Microsemi Corporation (4)
Nexperia USA Inc. (124)
NXP USA Inc. (122)
Fairchild/Micross Components (1)
Fairchild/ON Semiconductor (7)
ON Semiconductor (4)
Panasonic Electronic Components (1)
Rohm Semiconductor (29)
Toshiba Semiconductor and Storage (27)
Vishay Siliconix (17)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 63A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9620-100B,118
仓库库存编号:
1727-4715-1-ND
别名:1727-4715-1
568-5865-1
568-5865-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-40B,118
仓库库存编号:
1727-4709-1-ND
别名:1727-4709-1
568-5859-1
568-5859-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9608-55B,118
仓库库存编号:
1727-4711-1-ND
别名:1727-4711-1
568-5861-1
568-5861-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 253W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9608-55A,118
仓库库存编号:
1727-6218-1-ND
别名:1727-6218-1
568-8031-1
568-8031-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 258W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-55B,118
仓库库存编号:
1727-5259-1-ND
别名:1727-5259-1
568-6584-1
568-6584-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 254W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R4-40B,118
仓库库存编号:
1727-5265-1-ND
别名:1727-5265-1
568-6590-1
568-6590-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tj) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-55A,118
仓库库存编号:
1727-7188-1-ND
别名:1727-7188-1
568-9674-1
568-9674-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB191NQ06LT,118
仓库库存编号:
1727-3055-1-ND
别名:1727-3055-1
568-2188-1
568-2188-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-75B,118
仓库库存编号:
1727-5260-1-ND
别名:1727-5260-1
568-6585-1
568-6585-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 130mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
BSS84WQ-7-F
仓库库存编号:
BSS84WQ-7-FDICT-ND
别名:BSS84WQ-7-FDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SK2231(TE16R1,NQ)
仓库库存编号:
2SK2231TE16RQCT-ND
别名:2SK2231TE16RQCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 470mA(Ta) 390mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN61D8LQ-7
仓库库存编号:
DMN61D8LQ-7DICT-ND
别名:DMN61D8LQ-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
型号:
DMN61D8LVT-7
仓库库存编号:
DMN61D8LVT-7DICT-ND
别名:DMN61D8LVT-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RTU002P02T106
仓库库存编号:
RTU002P02T106CT-ND
别名:RTU002P02T106CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RTR025P02TL
仓库库存编号:
RTR025P02TLCT-ND
别名:RTR025P02TLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6
型号:
US6J2TR
仓库库存编号:
US6J2CT-ND
别名:US6J2CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 160mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
TP2104K1-G
仓库库存编号:
TP2104K1-GCT-ND
别名:TP2104K1-GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF010P02TL
仓库库存编号:
RTF010P02TLCT-ND
别名:RTF010P02TLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 134mA(Tj) 360mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
TN2124K1-G
仓库库存编号:
TN2124K1-GCT-ND
别名:TN2124K1-GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RTQ040P02TR
仓库库存编号:
RTQ040P02CT-ND
别名:RTQ040P02CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF015P02TL
仓库库存编号:
RTF015P02TLCT-ND
别名:RTF015P02TLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT5
型号:
QS5U27TR
仓库库存编号:
QS5U27CT-ND
别名:QS5U27CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) CPT3
型号:
RDD023N50TL
仓库库存编号:
RDD023N50TLCT-ND
别名:RDD023N50TLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF020P02TL
仓库库存编号:
RTF020P02TLCT-ND
别名:RTF020P02TLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8103-H(TE85LFM
仓库库存编号:
TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
别名:TPCP8103-H(TE85LFMCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号