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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 1.2W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH3002LPS-13
仓库库存编号:
DMTH3002LPS-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 110mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
TN5335K1-G
仓库库存编号:
TN5335K1-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 1.2W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT3002LPS-13
仓库库存编号:
DMT3002LPS-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 230mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN5335N8-G
仓库库存编号:
TN5335N8-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P013
仓库库存编号:
VN2410L-G-P013-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P014
仓库库存编号:
VN2410L-G-P014-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 258W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E06-55B,127
仓库库存编号:
1727-5270-ND
别名:1727-5270
568-6638
568-6638-5
568-6638-5-ND
568-6638-ND
934057313127
BUK9E06-55B
BUK9E06-55B,127-ND
BUK9E06-55B-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P003-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P013-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9604-40A,118
仓库库存编号:
BUK9604-40A,118-ND
别名:934056694118
BUK9604-40A /T3
BUK9604-40A /T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 45A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8120,LQ(CM
仓库库存编号:
TPCA8120LQ(CM-ND
别名:TPCA8120LQ(CM
TPCA8120LQCM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E04-40A,127
仓库库存编号:
BUK9E04-40A,127-ND
别名:934056696127
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 330mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0606L-G-P003
仓库库存编号:
VN0606L-G-P003-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R2-55B,118
仓库库存编号:
1727-5264-1-ND
别名:1727-5264-1
568-6589-1
568-6589-1-ND
BUK964R255B118
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 400V 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TN2540N3-G-P002
仓库库存编号:
TN2540N3-G-P002-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 150V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC6215TG-G
仓库库存编号:
TC6215TG-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 240V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TD9944TG-G
仓库库存编号:
TD9944TG-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
型号:
TC2320TG-G
仓库库存编号:
TC2320TG-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 62.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 62.5A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH955L,115
仓库库存编号:
PH955L,115-ND
别名:934058856115
PH955L T/R
PH955L T/R-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G-P002
仓库库存编号:
VN1206L-G-P002-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 86mA(Tj) 740mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TP2640LG-G
仓库库存编号:
TP2640LG-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL
详细描述:表面贴装 P 沟道 130mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84
仓库库存编号:
BSS84-DIE-ND
别名:BSS84-DIE
BSS84-ND
FCBSS84
FCBSS84-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
详细描述:通孔 N 沟道 60V 990mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
2N6660
仓库库存编号:
2N6660-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 53A(Tc) 138W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9523-75A,127
仓库库存编号:
568-9728-5-ND
别名:568-9728-5
934056477127
BUK9523-75A
BUK9523-75A,127-ND
BUK9523-75A-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9520-55A,127
仓库库存编号:
568-9731-5-ND
别名:568-9731-5
934056254127
BUK9520-55A
BUK9520-55A,127-ND
BUK9520-55A-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA,
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